Številka izdelka proizvajalca:
TSM160N10LCR RLG
Product Overview
Proizvajalec:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
TSM160N10LCR RLG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Podroben opis:
N-Channel 100 V 46A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Zaloga:
10887 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12897845
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TSM160N10LCR RLG Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Taiwan Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
46A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4431 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-PDFN (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
TSM160
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TSM160N10LCR RLGTR
TSM160N10LCR RLGDKR
TSM160N10LCRRLGDKR
TSM160N10LCR RLGTR-DG
TSM160N10LCR RLGDKR-DG
TSM160N10LCR RLGCT-DG
TSM160N10LCRRLGCT
TSM160N10LCRRLGTR
TSM160N10LCR RLGCT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TSM80N1R2CH C5G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
TSM60N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252
TSM3N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
